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產(chǎn)品資料
產(chǎn)品[

日本天谷AMAYA株式會社制作常壓CVD設(shè)備[產(chǎn)品打印頁面]

]資料
如果您對該產(chǎn)品感興趣的話,可以 產(chǎn)品名稱: 日本天谷AMAYA株式會社制作常壓CVD設(shè)備
產(chǎn)品型號: D501系列
產(chǎn)品展商: 日本AMAYA天谷制作所
折扣價格: 0.00 元
關(guān)注指數(shù):77
產(chǎn)品文檔: 無相關(guān)文檔

簡單介紹

AMAYA株式會社天谷制作所D501系列 常壓CVD裝置,準備了滿足顧客需求的產(chǎn)品陣容。同時,定做也對應(yīng)。 對應(yīng)于半導(dǎo)體制造用、太陽能電池制造用等各種用途。從少量生產(chǎn)到大量生產(chǎn) 形成SiO2、BPSG、BSG、PSG等各種膜種 采用SiC托盤防止重金屬污染,從低溫(200℃)到中溫(500℃)區(qū)域可以廣泛成膜

日本天谷AMAYA株式會社制作常壓CVD設(shè)備

   的詳細介紹

日本AMAYA株式會社天谷制作所

用于小規(guī)模生產(chǎn)和開發(fā)的柔性常壓CVD設(shè)備

D501系列

  • 用于將多個晶圓裝入大托盤的間歇式常壓CVD設(shè)備

特征

  • 這是一種間歇式常壓CVD系統(tǒng),其中多個晶圓被裝入一個大托盤中,托盤在分散頭下往復(fù)運動以形成薄膜。
  • 它可用于變形的基材。
  • 它具有緊湊的儀器尺寸和較小的占地面積。

性能

均勻的薄膜厚度 取決于薄膜類型和厚度
支持的晶圓尺寸 根據(jù)可加熱區(qū)
氣體種類 SiH4, O 2, PH 3, B 2 H6, N 2TEOS, TEB, TMOP,O 3, TMA 可選)
薄膜沉積溫度 350°C~450°C
生產(chǎn)力 -

主要規(guī)格

設(shè)備尺寸 1200毫米(寬) x 2480毫米(深) x 1940毫米(高)
加熱機構(gòu) 電阻加熱
裝載卸載 手動方法
分散頭(氣體噴嘴) A63頭

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