HORIBA-堀場/橢圓偏振光譜儀

Company Profile總部堀場制作所 HORIBA, 創(chuàng)立于1945年 10月17日成立1953年 1月26日總部601-8510 京都市南區(qū)吉祥院宮之東町2番地注冊資本120.11 億日元 ，業(yè)務范圍生產和銷售汽車排放測量系統(tǒng)、環(huán)境測量儀器、種類齊全的科學分析儀、體外診斷分析儀和半導體行業(yè)使用的測量設備等。HORIBA還生產和銷售外圍測量與分析設備。此外，公司還可為實驗室等機構提供用于研發(fā)、生產和其他應用的測量與分析設備
HORIBA主營產品

生產和銷售汽車排放測量系統(tǒng)、環(huán)境測量儀器、種類齊全的科學分析儀、體外診斷分析儀和半導體行業(yè)使用的測量設備等
一.表面/薄膜質量/氧含量分析

HORIBA-堀場 橢圓偏振光譜儀

厚度，折射率和消光系數

一束入射偏振光 與薄膜介質相互作用后，測量出射光偏振態(tài)的改變(強度和相位)，

通過模型運算，解析出膜的光學常數(折射率n，消光系數k )及各層膜厚

特點

■薄膜的厚度測量范圍從幾個A到80μ m

■微光斑功能可選

■自動平臺樣 品掃描成像，監(jiān)控所測膜厚均勻性
 重點應用

1.晶體管: HEMT、OTFT、MOSFET.CMOS

2.壓電鐵電: PZT、 BST

3.高-K/低-K材料

4.光刻膠1聚合物測試

5.數據存儲: GeSbTe、DDLC

HORIBA-堀場 輝光放電光譜儀(GD-OES)

晶圓的深度剖析

GD-OES能夠以u m/min的濺射速率對材料進行元素深度剖析。另外，GD-OES可以通過元素分布變化來評估薄膜的厚度，被廣泛應用于半導體工藝的研發(fā)和質量控制等領域。
 特點

■分析速度快 (μ m/min)

■元素測試范圍寬廣: H(氫)到U (鈾)

■無需前處理和超高真空
重點應用

1.氧化/腐蝕研究

2.光學鍍膜

3.金屬鍍膜

4.表面處理